Eskişehir Teknik Üniversitesi Eskişehir Teknik Üniversitesi
  • Kurumsal
  • Akademik Programlar
  • Öğrenci İçin Bilgi
  • Türkçe
    • Türkçe Türkçe
    • İngilizce İngilizce
Program Hakkında Eğitim Amaçları Program Yeterlilikleri (Çıktıları) Dersler - AKTS Kredileri Alan Yeterlilikleri Ders - Prog. Yeterlilik İlişkileri Alan & Prog. Yeterlilik İlişkileri Ders - Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları İlişkisi
  • Bilişim Teknolojileri Meslek Yüksekokulu
  • Elektrik ve Otomasyon Bölümü
  • Mekatronik Programı
  • Dersler - AKTS Kredileri
  • Analog Elektronik
  • Öğrenme Çıktıları
  • Tanıtım
  • Öğrenme Çıktıları
  • Program Çıktılarına Katkısı
  • Öğrenme Çıktısının Program Çıktılarına Katkısı

  • P-N eklemli devre elemanlarının temel yapı, özellik ve çalışma prensiplerini ifade edebilecektir.
  • Bir atomda çekirdek, yörünge ve kabuk deyimlerini açıklar, enerji-bant diyagramını çizer.
  • Serbest elektron kavramını ifade eder, yalıtkan, yarıiletken ve iletkeni tanımlar.
  • Elektronikte kullanılan Germanyum ve silisyum yarıiletkenlerinin özelliklerini açıklar.
  • Saf silisyum atomunun elektriksel iletkenliğinin sıcaklık ile ilişkisini açıklar.
  • Çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcılarını açıklar.
  • Diyot ve çeşitlerinin yapısı, çalışması ve karakteristiğini açıklayabilecek ve diyot devrelerine doğru akım devre analizi ilkelerini uygulayabilecektir.
  • Germanyum ve silisyum diyotların arasındaki elektriksel farklılığın neler olduğunu ifade eder.
  • Bir diyotun uygulamada; devamlı iletim, devamlı yalıtım veya zaman zaman iletim ve yalıtım durumunda çalıştığını açıklar.
  • Zener diyotların ters yönde çalışan bir P-N eklemi olduğunu ifade eder, bozulmama nedenini açıklar.
  • Bir zener diyot devresi üzerinde akımı, gerilimi ve gücü hesaplar.
  • Varikap diyot, Tunel diyot, Schottky diyot, Foto diyot ve PIN diyot gibi, çeşitlerinin yapı, özellik ve çalışmasını açıklar.
  • BJT (Eklemli iki kutuplu transistör)’lerin özelliklerini ve çalışmasını açıklayabilecektir.
  • BJT’nin P-N eklemli bir devre elemanı olduğunu, uçlarının Emitör, Beyz ve Kollektör olduğunu ifade eder.
  • Bir BJT’yi iki kaynak yardımı ile kutuplayıp, çeşitli akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar.
  • BJT’nin karakteristik özelliklerini bilir ve yalıtım, doyum ve aktif bölgelerini açıklar.
  • Ön gerilimleme devreleri çizerek akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar.
  • Darligton bağlantının şeklini çizer ve elektriksel özelliklerini açıklar.
  • FET (Alan etkili transistör)’lerin özelliklerini ve çalışmasını açıklayabilecektir.
  • JFET’lerin yapısını ve çeşitlerini açıklar.
  • Transfer karakteristik eğrisini çizer ve bu eğri üzerinde ileri yön geçiş iletkenliğini açıklar.
  • D-MOSFET ve E-MOSFET’lerin JFET’ler ile olan farklılığını ve D-MOSFET’lerin JFET’ler ile olan benzerliğini ifade eder.
  • FET’lerin, D-MOSFET’lerin ve E-MOSFET’lerin kaç şekilde ön gerilimlenebileceğini ifade eder.
  • GaAS’lı FET’ler, çift gate’li FET’ler, VMOS’lar gibi diğer MOSFET çeşitlerini açıklar.

  • Kurumsal
  • İsim ve Adres
  • Akademik Takvim
  • Yönetim Kadrosu
  • Kurum Hakkında
  • Akademik Programlar
  • Genel Kabul Şartları
  • Önceki Öğrenmenin Tanınması
  • Kayıt İşlemleri
  • AKTS Kredi Sistemi
  • Akademik Danışmanlık
  • Akademik Programlar
  • Doktora / Sanatta Yeterlik
  • Yüksek Lisans
  • Lisans
  • Önlisans
  • Açık ve Uzaktan Eğitim Sistemi
  • Öğrenci İçin Bilgi
  • Şehirde Yaşam
  • Konaklama
  • Beslenme Olanakları
  • Tıbbi Olanaklar
  • Engelli Öğrenci Olanakları ı
  • Sigorta
  • Maddi Destek
  • Öğrenci İşleri Daire Başkanlığı
  • Öğrenci İçin Bilgi
  • Öğrenim Olanakları
  • Uluslararası Programlar r
  • Değişim Öğrencileri için Pratik Bilgiler
  • Dil Kursları
  • Staj
  • Sosyal Yaşam ve Spor Olanakları
  • Öğrenci Kulüpleri